Phase relations in the La2O3-TiO2-Al2O3 system
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Subsolidus Phase Relations in the BaO-TiO2-Fe2O3 System
The subsolidus phase equilibrium relation in the Ba0-Ti0,-FezQ system at 1240°C in air has been investigated by conventional solid state reaction techniques and X-ray powder diffraction. Twelve quarternary compounds were recognized, BaTi1,FexO3., ( 0 . 1 ~ ~ 0 . 7 5 ) (N), Ba3TiFel,0m (K), BaTizFe,Oll (R). Ba2Ti,Fe20,3 (J), Ba,Ti,ge&O, (0.55<xc0.67) (H), Ba12Ti16F%%9 (1). Ba3,Ti,FezO, (O), B ~ ...
متن کاملMETASTABLE PHASE RELATIONS IN THE SYSTEM CaO-Al2O3-MgO-TiO2: APPLICATION TO Ca- AND Al-RICH INCLUSIONS
متن کامل
synthesis of platinum nanostructures in two phase system
چکیده پلاتین، فلزی نجیب، پایدار و گران قیمت با خاصیت کاتالیزوری زیاد است که کاربرد های صنعتی فراوانی دارد. کمپلکس های پلاتین(ii) به عنوان دارو های ضد سرطان شناخته شدند و در شیمی درمانی بیماران سرطانی کاربرد دارند. خاصیت کاتالیزوری و عملکرد گزینشی پلاتین مستقیماً به اندازه و- شکل ماده ی پلاتینی بستگی دارد. بعضی از نانو ذرات فلزی در سطح مشترک مایع- مایع سنتز شده اند، اما نانو ساختار های پلاتین ب...
Silicon diffusion control in atomic-layer-deposited Al2O3/La2O3/Al2O3 gate stacks using an Al2O3 barrier layer
In this study, the physical and electrical characteristics of Al2O3/La2O3/Al2O3/Si stack structures affected by the thickness of an Al2O3 barrier layer between Si substrate and La2O3 layer are investigated after a rapid thermal annealing (RTA) treatment. Time of flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) tests indicate that an Al2O3 barrier laye...
متن کاملTransparent and flexible capacitors based on nanolaminate Al2O3/TiO2/Al2O3
Transparent and flexible capacitors based on nanolaminate Al2O3/TiO2/Al2O3 dielectrics have been fabricated on indium tin oxide-coated polyethylene naphthalate substrates by atomic layer deposition. A capacitance density of 7.8 fF/μm(2) at 10 KHz was obtained, corresponding to a dielectric constant of 26.3. Moreover, a low leakage current density of 3.9 × 10(-8) A/cm(2) at 1 V has been realized...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Science of Sintering
سال: 2002
ISSN: 0350-820X,1820-7413
DOI: 10.2298/sos0201057s